MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905PBF 1 CANAL N 110 W DPAK 1 PC(S)

C(ISS) : 1700 pF C(ISS) Tension de référence : 25 V Disponible en logiciel PCB : Target 3001! Fabricant : Infineon Technologies Fonction FET : Porte de niveau logique I(d) : 42 A Nombre de sorties : 1 Puissance maxi : 110 W Q(G) : 48 C Q(G) Tension de référence : 5 V R(DS)(on) : 27 mΩ R(DS)(on) Courant de référence : 25 A R(DS)(on) Tension de référence : 10 V Sigle du fabricant (composants) : INF Série (semiconducteur) : HEXFET® Température de fonctionnement (max.) (num) : +175 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension de rupture U(BR) (DSS) : 55 V Type (type fabricant) : IRLR2905PBF Type de FET : Canal N Type de boîtier (semi-conducteur) : DPAK Type de montage : montage en surface Type de transistor (Catégorisation) : MOSFET U(DSS) : 55 V U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA U(GS)(th) max. : 2 V
Marque : INFINEON TECHNOLOGIES
Délai de livraison : 48 h ou 24h
Frais de port : 8.70
Garantie : 1 an